三星：2021年量產3奈米晶片 GAA技術超越台積電、英特爾

綜合外電報導，三星 (005930-KR) 宣布 2021 年將帶來 3 奈米晶片製程，推出突破性的 GAA 處理器技術，欲將性能提升 35%，且功耗率降低 50%，這表示未來電池續航力將會增加一半，此舉可望為三星吸引更多像是蘋果、AMD 等大廠合作。

三星於週二 (14 日) 的三星晶圓論壇 (Samsung Foundry Forum) 上宣布，該公司正在開發一項稱為 gate-all-around 的新技術，簡稱 GAA，預計在 2021 年，透過 GAA 技術的研發，推出 3 奈米製程產品，預計晶片面積將再減少 45%。

GAA 技術將解決工程師多年來，在晶片製程縮小過程中遇到的難題，且能延續摩爾定律的持續發展。

奈米晶片製程一直是各大晶圓廠爭相比較的技術，繼台積電日前宣布將於 2020 年量產 5 奈米製程，如今三星也不惶多讓，上月更宣布將投入近 1,160 億美元，來擴大非記憶體晶片和晶圓代工業務。

據報導指出，這項新推出的 3 奈米製程，將能使三星在先進製程方面，與台積電和英特爾角逐，甚至領先兩大晶圓廠。

GAA 小檔案

全名 Gate-All-Around，又被稱為「閘極全環」，是一種多閘極電晶體 (Mulitgate Device)，指得是能使用一個電極來同時控制多個閘極的電晶體，GAA 是當前 FinFET 進化版的晶片生產技術，FET，或稱為「環繞式結構 FET」，能對晶片核心進行全新改造與設計，使晶片更小，處理速度更快

商業諮詢公司 International Business Strategies 執行長 Handel Jones 說道：「三星在 GAA 的發展技術上，大約領先台積電一年，甚至領先英特爾二到三年」。

加州 Santa Clara 市的晶圓代工業務營銷副總裁 Ryan Lee 則表示，GAA 技術的創新，會是未來晶圓發展 2 奈米製程，或甚至 1 奈米製程的關鍵技術。

對此台積電和英特爾並未發表評論。

目前三星有望在 2020 年，量產 5 奈米製程產品，此番預計在 2021 年發展 3 奈米製程的宣布，將能吸引像是蘋果、高通、AMD 等目前台積電客戶的青睞，以達到三星拓展晶圓業務的目標。